IRLL024Z

Symbol Micros: TIRLL024z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 57,5 mOhm; 5.1A; 2,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLL024ZPBF; IRLL024ZTRPBF 2,5K/RL;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 57,5mOhm
Max. Drainstrom: 5,1A
Maximaler Leistungsverlust: 2,8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLL024ZTRPBF RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
480 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,9066 0,6021 0,4983 0,4498 0,4314
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2500
Widerstand im offenen Kanal: 57,5mOhm
Max. Drainstrom: 5,1A
Maximaler Leistungsverlust: 2,8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole