IRLL2703

Symbol Micros: TIRLL2703
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-MOSFET HEXFET 30V 3.9A 1W 0.045Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 5,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLL2703TR RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
79 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5845 0,3250 0,2548 0,2408 0,2333
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 5,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Montage: SMD

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