IRLML0100

Symbol Micros: TIRLML0100
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 235 mOhm; 1,6A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML0100TRPBF; IRLML0100PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 235mOhm
Max. Drainstrom: 1,6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML0100TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
1940 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2862 0,1578 0,1047 0,0875 0,0814
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML0100TRPBF Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
558000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0814
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML0100TRPBF Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
228000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0814
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML0100TRPBF Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
47100 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0859
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 235mOhm
Max. Drainstrom: 1,6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD