IRLML0100
Symbol Micros:
TIRLML0100 c
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 310mOhm; 2A; 1,2 W; -55°C~150°C; IRLML0100TRPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 310mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,2W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | FUXINSEMI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 310mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,2W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | FUXINSEMI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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