IRLML0100 SOT23

Symbol Micros: TIRLML0100 c

Gehäuse: SOT23

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 310mOhm; 2A; 1,2W; -55°C~150°C; IRLML0100TRPBF;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	310mOhm
Max. Drainstrom:	2A
Maximaler Leistungsverlust:	1,2W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	FUXINSEMI
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2024-10-15

Anzahl Stück: 3000

Widerstand im offenen Kanal:	310mOhm
Max. Drainstrom:	2A
Maximaler Leistungsverlust:	1,2W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	FUXINSEMI
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Montage:	SMD