IRLML0100

Symbol Micros: TIRLML0100 c

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 310mOhm; 2A; 1,2 W; -55°C~150°C; IRLML0100TRPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	310mOhm
Max. Drainstrom:	2A
Maximaler Leistungsverlust:	1,2W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	FUXINSEMI
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2025-05-20

Anzahl Stück: 3000

Widerstand im offenen Kanal:	310mOhm
Max. Drainstrom:	2A
Maximaler Leistungsverlust:	1,2W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	FUXINSEMI
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD