IRLML2030TRPBF

Symbol Micros: TIRLML2030
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 154 mOhm; 2,7A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML2030TRPBF; IRLML2030PBF; IRLML2030;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 154mOhm
Max. Drainstrom: 2,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2030TRPBF Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
519000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0457
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2030TRPBF Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
189000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0476
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2030TRPBF Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
4800 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0566
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 154mOhm
Max. Drainstrom: 2,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD