IRLML2060
Symbol Micros:
TIRLML2060
Gehäuse: SOT23
N-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 640 mOhm; 1,2A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML2060TR; IRLML2060TRPBF; IRLML2060PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 640mOhm |
Max. Drainstrom: | 1,2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,25W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLML2060TR RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
19910 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2904 | 0,1542 | 0,1195 | 0,1104 | 0,1057 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLML2060TRPBF
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
630000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1057 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLML2060TRPBF
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
12800 stk.
Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1057 |
Widerstand im offenen Kanal: | 640mOhm |
Max. Drainstrom: | 1,2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,25W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole