IRLML2060

Symbol Micros: TIRLML2060
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 640 mOhm; 1,2A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML2060TR; IRLML2060TRPBF; IRLML2060PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 640mOhm
Max. Drainstrom: 1,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2060TR RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
19910 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2904 0,1542 0,1195 0,1104 0,1057
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2060TRPBF Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
630000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1057
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2060TRPBF Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
12800 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1057
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 640mOhm
Max. Drainstrom: 1,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD