IRLML2246

Symbol Micros: TIRLML2246
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 236 mOhm; 2,6A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML2246PBF; IRLML2246TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 236mOhm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2246TR RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
172 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2262 0,1252 0,0832 0,0693 0,0646
Standard-Verpackung:
3000/9000
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLML2246TR RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
925 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2262 0,1252 0,0832 0,0693 0,0646
Standard-Verpackung:
1925
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2246TRPBF Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0646
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2246TRPBF Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
54000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0646
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2246TRPBF Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
4700 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0646
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 236mOhm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD