IRLML2502

Symbol Micros: TIRLML2502 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: YFW3416; IRLML2502; SKML2502; IRLML2502TRPBF-ES; S2 IRLML2502; IRLML2502TRPBF; C-CDM2502; BM2300; YFW3416;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Hersteller: HOTTECH Hersteller-Teilenummer: IRLML2502 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
1395 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2195 0,1043 0,0587 0,0444 0,0399
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: YFW3416 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2195 0,1043 0,0587 0,0444 0,0399
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD