IRLML2502TRPBF

Symbol Micros: TIRLML2502 VBS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 50mOhm; 5A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 50mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-04-18
Anzahl Stück: 3000
Widerstand im offenen Kanal: 50mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD