IRLML2502TRPBF

Symbol Micros: TIRLML2502 VBS

Gehäuse: SOT23-3

N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 50mOhm; 5A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	50mOhm
Max. Drainstrom:	5A
Maximaler Leistungsverlust:	1,25W
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	VBsemi
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2025-05-05

Anzahl Stück: 3000

Widerstand im offenen Kanal:	50mOhm
Max. Drainstrom:	5A
Maximaler Leistungsverlust:	1,25W
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	VBsemi
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD