IRLML6302
Symbol Micros:
TIRLML6302
Gehäuse: SOT23
P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 900 mOhm; 780mA; 540 mW; -55 °C ~ 150 °C; LTB: 31. JULI 2024; Äquivalent: IRLML6302PBF; IRLML6302TRPBF; IRLML6302GTRPBF; SP001574060;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 900mOhm |
| Max. Drainstrom: | 780mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 540mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLML6302TR RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
22000 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3707 | 0,2042 | 0,1605 | 0,1487 | 0,1425 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 900mOhm |
| Max. Drainstrom: | 780mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 540mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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SOT23t/r
Auf Lager
500 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,2630 | 0,1401 | 0,1090 | 0,0985 | 0,0954 |
Standard-Verpackung: 500
Menge (Vielfache 1)
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