IRLML6302TR UMW

Symbol Micros: TIRLML6302 UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 110mOhm; 780mA; 540 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML6302TRPBF; IRLML6302GTRPBF; SP001574060; SP001550492;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 780mA
Maximaler Leistungsverlust: 540mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRLML6302TR Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2571 0,1370 0,1066 0,0963 0,0933
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 780mA
Maximaler Leistungsverlust: 540mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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