IRLML6344TRPBF HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRLML6344 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML6344TRPBF; SP001574050;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 5,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRLML6344TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
504 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1790 0,0715 0,0416 0,0347 0,0325
Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 5,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD