IRLML6401 China

Symbol Micros: TIRLML6401 c

Gehäuse: SOT23

Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; +/-8V; 50mOhm; 4,3A; 1,3W; -50°C~150°C; Substitute: IRLML6401; SKML6401; BML6401; FS3401; YFW2311B;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	50mOhm
Max. Drainstrom:	4,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,3W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	KEXIN
Max. Drain-Source Spannung:	16V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2024-10-15

Anzahl Stück: 3000

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2024-08-02

Anzahl Stück: 3000

Widerstand im offenen Kanal:	50mOhm
Max. Drainstrom:	4,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,3W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	KEXIN
Max. Drain-Source Spannung:	16V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-50°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Montage:	SMD