IRLML6401

Symbol Micros: TIRLML6401 HUA
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
P-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 125 mOhm; 4,3A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML6401TRPBF; IRLML6401PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HUASHUO
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: HUASHUO Hersteller-Teilenummer: IRLML6401 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1805 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 400+ 1805+
Nettopreis (EUR) 0,2208 0,1114 0,0671 0,0542 0,0491
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1805
Hersteller: HUASHUO Hersteller-Teilenummer: IRLML6401 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
750 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 400+ 1805+
Nettopreis (EUR) 0,2208 0,1114 0,0671 0,0542 0,0491
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
815
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HUASHUO
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole