IRLML6401

Symbol Micros: TIRLML6401 KEX

Gehäuse: SOT23

P-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 125 mOhm; 4,3A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML6401TRPBF; IRLML6401PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	125mOhm
Max. Drainstrom:	4,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,3W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	KEXIN
Max. Drain-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: KEXIN Hersteller-Teilenummer: IRLML6401TR RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

300 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2268	0,1240	0,0814	0,0704	0,0648

Widerstand im offenen Kanal:	125mOhm
Max. Drainstrom:	4,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,3W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	KEXIN
Max. Drain-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD