IRLML6402

Symbol Micros: TIRLML6402 TEC

Gehäuse: SOT23

P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 135 mOhm; 3,7A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML6402TRPBF; IRLML6402PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	135mOhm
Max. Drainstrom:	3,7A
Maximaler Leistungsverlust:	1,3W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	135mOhm
Max. Drainstrom:	3,7A
Maximaler Leistungsverlust:	1,3W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD