IRLR014N
Symbol Micros:
TIRLR014n
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET HEXFET 55V 10A 28W 0.14Ω
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
Max. Drainstrom: | 7,7A |
Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRLR014 RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 75+ | 150+ | 750+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6032 | 0,3811 | 0,2899 | 0,2759 | 0,2618 |
Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
Max. Drainstrom: | 7,7A |
Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
Montage: | SMD |
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