IRLR024NTRPBF JGSEMI

Symbol Micros: TIRLR024n JGS
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 35mOhm; 30A; 40W; -50 °C ~ 125 °C; Äquivalent: IRLR024PBF; IRLR024TRPBF; IRLR024TRLPBF; IRLR024NPBF; IRLR024NTRLPBF; IRLR024NTRPBF; IRLR024NTRRPBF; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
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Geplantes Datum:
2025-02-28
Anzahl Stück: 500
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 125°C
Montage: SMD

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