IRLR110 smd

Symbol Micros: TIRLR110
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 100V; 10V; 760 mOhm; 4,3A; 25W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLR110TRPBF; IRLR110PBF; IRLR110TRLPBF; IRLR110ATF; IRLR110ATM; IRLR110PBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 760mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRLR110 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Auf Lager:
65 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 75+ 300+ 900+
Nettopreis (EUR) 0,6939 0,4392 0,3341 0,3107 0,3014
Standard-Verpackung:
75/300
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRLR110TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3014
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRLR110TRLPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3014
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: IRLR110TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3014
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 760mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD