IRLR110 smd
Symbol Micros:
TIRLR110
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 100V; 10V; 760 mOhm; 4,3A; 25W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLR110TRPBF; IRLR110PBF; IRLR110TRLPBF; IRLR110ATF; IRLR110ATM; IRLR110PBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 760mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRLR110 RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Auf Lager:
65 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 75+ | 300+ | 900+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6939 | 0,4392 | 0,3341 | 0,3107 | 0,3014 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRLR110TRPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3014 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRLR110TRLPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3014 |
Hersteller: -
Hersteller-Teilenummer: IRLR110TRPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3014 |
Widerstand im offenen Kanal: | 760mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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