IRLR120N smd

Symbol Micros: TIRLR120n

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 265 mOhm; 10A; 48W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR120NTRPBF; IRLR120NPBF; IRLR120NPBF-GURT; IRLR120NTRLPBF;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	265mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR120NTRL RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

250 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,9240	0,5843	0,4608	0,4204	0,4014

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR120NTR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK)

Auf Lager:

1496 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,9240	0,5843	0,4608	0,4204	0,4014

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR120NTRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

0 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,9240	0,5843	0,4608	0,4204	0,4014

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR120NTRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

36500 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4014

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR120NTRLPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4014

Widerstand im offenen Kanal:	265mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	3+	20+	100+	400+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,3135	0,1672	0,1302	0,1188	0,1138