IRLR120NTR UMW

Symbol Micros: TIRLR120n UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 265 mOhm; 10A; 48W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR120NPBF; IRLR120NTRLPBF; IRLR120NTRPBF; SP001577026; SP001568906; SP001574026;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 265mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRLR120NTR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
340 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 400+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3142 0,1676 0,1304 0,1190 0,1140
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Standard-Verpackung:
400
Widerstand im offenen Kanal: 265mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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