IRLR2905Z

Name: TIRLR2905z TIRLR2905z
Brand: Infineon
SKU: TIRLR2905z
Price: 0.5966 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRLR2905z

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 22,5 mOhm; 60A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR2905ZPBF; IRLR2905ZTRPBF; IRLR2905ZTRLPBF; IRLR2905ZPBF-GURT;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	22,5mOhm
Max. Drainstrom:	60A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR2905ZTR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

4435 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,1348	0,7932	0,6739	0,6177	0,5966

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR2905ZTR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

5 stk.

Anzahl Stück	1+	2+	3+	5+	15+
Nettopreis (EUR)	1,1348	0,9078	0,8119	0,7207	0,5966

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR2905ZTRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

4000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5966

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR2905ZTRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

2150 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5966

Widerstand im offenen Kanal:	22,5mOhm
Max. Drainstrom:	60A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6715	0,4212	0,3510	0,3112	0,2925