IRLR2905Z

Symbol Micros: TIRLR2905z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 22,5 mOhm; 60A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR2905ZPBF; IRLR2905ZTRPBF; IRLR2905ZTRLPBF; IRLR2905ZPBF-GURT;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 22,5mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR2905ZTR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
4455 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1332 0,7921 0,6729 0,6169 0,5958
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Standard-Verpackung:
2000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR2905ZTR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 1+ 2+ 3+ 5+ 15+
Nettopreis (EUR) 1,1332 0,9066 0,8108 0,7197 0,5958
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Standard-Verpackung:
15
Widerstand im offenen Kanal: 22,5mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Montage: SMD

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