IRLR2908
Symbol Micros:
TIRLR2908 c
Gehäuse: TO252
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 24mOhm; 31A; 53,5W; -55°C~175°C; Äquivalent: IRLR2908TRPBF-TP; IRLR2908TRPBF-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 24mOhm |
Max. Drainstrom: | 31A |
Maximaler Leistungsverlust: | 53,5W |
Gehäuse: | TO252 |
Hersteller: | TECH PUBLIC |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 24mOhm |
Max. Drainstrom: | 31A |
Maximaler Leistungsverlust: | 53,5W |
Gehäuse: | TO252 |
Hersteller: | TECH PUBLIC |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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