IRLR2908

Symbol Micros: TIRLR2908 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 24mOhm; 31A; 53,5W; -55°C~175°C; Äquivalent: IRLR2908TRPBF-TP; IRLR2908TRPBF-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 24mOhm
Max. Drainstrom: 31A
Maximaler Leistungsverlust: 53,5W
Gehäuse: TO252
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: IRLR2908TRPBF-TP RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,9096 0,6033 0,5004 0,4513 0,4326
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 24mOhm
Max. Drainstrom: 31A
Maximaler Leistungsverlust: 53,5W
Gehäuse: TO252
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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