IRLR2908TR

Symbol Micros: TIRLR2908TR VBS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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Transistor N-Kanal MOSFET; 100V; 20V; 0,035Ohm; 40A; 3,75W; -55°C~175°C; Ersatz: IRLR2908TRLPBF-VG; IRLR2908TRPBF; IRLR2908TRPBF-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 3,75W
Gehäuse: TO252
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: IRLR2908TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
55 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,0794 0,7173 0,5724 0,5210 0,5140
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 3,75W
Gehäuse: TO252
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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