IRLR3114Z

Symbol Micros: TIRLR3114z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-MOSFET HEXFET 40V 42A 140W 0.0049Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 130A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR3114ZTRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
263 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,1192 0,7430 0,6169 0,5561 0,5327
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Standard-Verpackung:
2000
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 130A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Montage: SMD

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