IRLR3636 IRLR3636PBF-GURT

Symbol Micros: TIRLR3636
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 8,3 mOhm; 99A; 143W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR3636PBF; IRLR3636TRPBF (2000/T&R); IRLR3636TRLPBF (3K/RL); IRLR3636PBF-GURT;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8,3mOhm
Max. Drainstrom: 99A
Maximaler Leistungsverlust: 143W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR3636TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
1560 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,5588 1,0923 0,9282 0,8486 0,8204
Standard-Verpackung:
2000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR3636TRLPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,8204
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR3636TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
5800 stk.
Anzahl Stück 50+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,8204
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 8,3mOhm
Max. Drainstrom: 99A
Maximaler Leistungsverlust: 143W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD