IRLR3636 IRLR3636PBF-GURT
Symbol Micros:
TIRLR3636
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 8,3 mOhm; 99A; 143W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR3636PBF; IRLR3636TRPBF (2000/T&R); IRLR3636TRLPBF (3K/RL); IRLR3636PBF-GURT;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 8,3mOhm |
Max. Drainstrom: | 99A |
Maximaler Leistungsverlust: | 143W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLR3636TR RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Auf Lager:
1560 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,5588 | 1,0923 | 0,9282 | 0,8486 | 0,8204 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLR3636TRLPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8204 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLR3636TRPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
5800 stk.
Anzahl Stück | 50+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8204 |
Widerstand im offenen Kanal: | 8,3mOhm |
Max. Drainstrom: | 99A |
Maximaler Leistungsverlust: | 143W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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