IRLR3717

Symbol Micros: TIRLR3717

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-MOSFET HEXFET 20V 120A 89W 0.004Ω

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	5,5mOhm
Max. Drainstrom:	120A
Maximaler Leistungsverlust:	89W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: IRLR3717 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

0 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	0,9235	0,6149	0,5073	0,4582	0,4395

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Standard-Verpackung:
200 Menge (Vielfache: 1)

Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: IRLR3717TRPBF-VB RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

0 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	0,9235	0,6149	0,5073	0,4582	0,4395

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Standard-Verpackung:
100 Menge (Vielfache: 1)

Widerstand im offenen Kanal:	5,5mOhm
Max. Drainstrom:	120A
Maximaler Leistungsverlust:	89W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Montage:	SMD