IRLR6225PBF TO-252-3

Symbol Micros: TIRLR6225
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 5,2 mOhm; 100A; 63W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLR6225TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,2mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 63W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLR6225 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
375 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,8298 0,5237 0,4113 0,3730 0,3611
Standard-Verpackung:
500
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR6225TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3611
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 5,2mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 63W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD