IRLR6225PBF TO-252-3
Symbol Micros:
TIRLR6225
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 5,2 mOhm; 100A; 63W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLR6225TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 5,2mOhm |
Max. Drainstrom: | 100A |
Maximaler Leistungsverlust: | 63W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRLR6225 RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
375 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8298 | 0,5237 | 0,4113 | 0,3730 | 0,3611 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLR6225TRPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3611 |
Widerstand im offenen Kanal: | 5,2mOhm |
Max. Drainstrom: | 100A |
Maximaler Leistungsverlust: | 63W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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