IRLR7821

Symbol Micros: TIRLR7821
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 12,5 mOhm; 65A; 75W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR7821PBF; IRLR7821TRPBF; IRLR7821TRLPBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12,5mOhm
Max. Drainstrom: 65A
Maximaler Leistungsverlust: 75W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLR7821TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,0272 0,6832 0,5662 0,5101 0,4890
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 12,5mOhm
Max. Drainstrom: 65A
Maximaler Leistungsverlust: 75W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD