IRLR8726 TO252 RoHS

Symbol Micros: TIRLR8726 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 7,5 mOhm; 90A; 181W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP0015528
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,5mOhm
Max. Drainstrom: 90A
Maximaler Leistungsverlust: 181W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: IRLR8726 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3084 0,1715 0,1353 0,1229 0,1189
Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 7,5mOhm
Max. Drainstrom: 90A
Maximaler Leistungsverlust: 181W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMA