IRLR8729

Symbol Micros: TIRLR8729
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-MOSFET 30V 58A 55W 0.0089Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11,9mOhm
Max. Drainstrom: 58A
Maximaler Leistungsverlust: 55W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR8729TRLPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
1305 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6944 0,4395 0,3460 0,3156 0,3016
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR8729TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6944 0,4395 0,3460 0,3156 0,3016
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Standard-Verpackung:
2000
Widerstand im offenen Kanal: 11,9mOhm
Max. Drainstrom: 58A
Maximaler Leistungsverlust: 55W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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