IRLS3036TRLPBF
Symbol Micros:
TIRLS3036
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 2,8 mOhm; 270A; 380 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLS3036PBF; IRLS3036TRLPBF; IRLS3036;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 2,8mOhm |
Max. Drainstrom: | 270A |
Maximaler Leistungsverlust: | 380W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRLS3036TRL RoHS
Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
56 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,2848 | 1,8138 | 1,6390 | 1,5504 | 1,5224 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLS3036TRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
3532 stk.
Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 1,5224 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLS3036TRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 1,5224 |
Widerstand im offenen Kanal: | 2,8mOhm |
Max. Drainstrom: | 270A |
Maximaler Leistungsverlust: | 380W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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