IRLS3036TRLPBF

Symbol Micros: TIRLS3036
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 2,8 mOhm; 270A; 380 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLS3036PBF; IRLS3036TRLPBF; IRLS3036;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,8mOhm
Max. Drainstrom: 270A
Maximaler Leistungsverlust: 380W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLS3036TRL RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
56 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,2848 1,8138 1,6390 1,5504 1,5224
Standard-Verpackung:
300
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLS3036TRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
3532 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,5224
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLS3036TRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,5224
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2,8mOhm
Max. Drainstrom: 270A
Maximaler Leistungsverlust: 380W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD