IRLS4030
Symbol Micros:
TIRLS4030
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 4,5 mOhm; 180A; 370 W; -55°C~175°C; Äquivalent: IRLS4030PBF; IRLS4030TRLPBF; IRLS4030PBF-GURT; IRLS4030TRLPBF veraltet;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 180mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 370W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRLS4030TRLPBF RoHS
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,5665 | 2,9482 | 2,5838 | 2,4065 | 2,3010 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLS4030TRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
610 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,3010 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 180mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 370W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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