IRLU3110Z

Symbol Micros: TIRLU3110z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-MOSFET 42A 100V 140W

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 63A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLU3110Z RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
55 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,0200 1,5524 1,3794 1,2999 1,2625
Standard-Verpackung:
75
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 63A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Montage: THT