IRLZ14
Symbol Micros:
TIRLZ14
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 60V; 10V; 280 mOhm; 10A; 43W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLZ14PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
Max. Drainstrom: | 10A |
Maximaler Leistungsverlust: | 43W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRLZ14 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6435 | 0,4033 | 0,3171 | 0,2984 | 0,2798 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRLZ14PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
14004 stk.
Anzahl Stück | 450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2798 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRLZ14PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
925 stk.
Anzahl Stück | 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3731 |
Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
Max. Drainstrom: | 10A |
Maximaler Leistungsverlust: | 43W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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