IRLZ14
Symbol Micros:
TIRLZ14
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 60V; 10V; 280 mOhm; 10A; 43W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLZ14PBF;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
Max. Drainstrom: | 10A |
Maximaler Leistungsverlust: | 43W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRLZ14 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6449 | 0,4042 | 0,3178 | 0,2991 | 0,2804 |
Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
Max. Drainstrom: | 10A |
Maximaler Leistungsverlust: | 43W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
Montage: | THT |
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