IRLZ14

Symbol Micros: TIRLZ14
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Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 10V; 280 mOhm; 10A; 43W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLZ14PBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRLZ14 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6449 0,4042 0,3178 0,2991 0,2804
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Montage: THT

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