IRLZ24PBF

Symbol Micros: TIRLZ24
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 10V; 140 mOhm; 17A; 60W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 140mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRLZ24PBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,9084 0,5698 0,4460 0,4203 0,3946
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 140mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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