IRLZ44NS smd

Symbol Micros: TIRLZ44ns
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-MOSFET 47A 55V 110W 0.028Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 47A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLZ44NSTRL RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Auf Lager:
250 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 1,5898 1,2601 1,0731 0,9843 0,9352
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Standard-Verpackung:
800
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLZ44NSTRLPBF RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)  
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 1,5898 1,2601 1,0731 0,9843 0,9352
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Standard-Verpackung:
800
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 47A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Montage: SMD

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