IRLZ44ZS smd

Symbol Micros: TIRLZ44zs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 22,5 mOhm; 51A; 80W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLZ44ZSPBF; IRLZ44ZSTRPBF; IRLZ44ZSPBF-GURT; IRLZ44ZSTRLPBF; IRLZ44ZSTRRPBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 22,5mOhm
Max. Drainstrom: 51A
Maximaler Leistungsverlust: 80W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 22,5mOhm
Max. Drainstrom: 51A
Maximaler Leistungsverlust: 80W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD