G04P10HE

Symbol Micros: TISP16DP10LMXTSA1 GO
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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MOSFET-Transistor; SOT-223; P-Kanal; YES ESD; 100V; 4A; 1.2W; 1.55V; 250mOhm ISP16DP10LM;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 250mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,2W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 250mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,2W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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