IXFN360N10T
Symbol Micros:
TIXFN360n10t
Gehäuse: SOT227B
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 2,6 mOhm; 360A; 830 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 360A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 830W |
| Gehäuse: | SOT227B |
| Hersteller: | IXYS |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 100V |
Hersteller: LITTELFUSE
Hersteller-Teilenummer: IXFN360N10T
Gehäuse: SOT227B
Externes Lager:
274 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 20,4070 |
Hersteller: LITTELFUSE
Hersteller-Teilenummer: IXFN360N10T
Gehäuse: SOT227B
Externes Lager:
280 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 24,0494 |
Hersteller: IXYS
Hersteller-Teilenummer: IXFN360N10T
Gehäuse: SOT227B
Externes Lager:
10 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 20,8277 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 360A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 830W |
| Gehäuse: | SOT227B |
| Hersteller: | IXYS |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | Schrauben |