JMGK088V10A JIEJIE

Symbol Micros: TJMGK088V10A JJ
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 12,7 mOhm; 80A; 127W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12,7mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 127W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Jiangsu JieJie Microelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Jiejie Microelectronics Hersteller-Teilenummer: JMGK088V10A RoHS Gehäuse: TO252t/r  
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,1657 0,7717 0,6155 0,5642 0,5549
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Standard-Verpackung:
30
Widerstand im offenen Kanal: 12,7mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 127W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Jiangsu JieJie Microelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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