JMGK088V10A JIEJIE
Symbol Micros:
TJMGK088V10A JJ
Gehäuse: TO252
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 12,7mOhm; 80A; 127W; -55°C ~ 175°C;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 12,7mOhm |
Max. Drainstrom: | 80A |
Maximaler Leistungsverlust: | 127W |
Gehäuse: | TO252 |
Hersteller: | Jiangsu JieJie Microelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Jiejie Microelectronics
Hersteller-Teilenummer: JMGK088V10A RoHS
Gehäuse: TO252t/r
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,1683 | 0,7734 | 0,6169 | 0,5655 | 0,5561 |
Widerstand im offenen Kanal: | 12,7mOhm |
Max. Drainstrom: | 80A |
Maximaler Leistungsverlust: | 127W |
Gehäuse: | TO252 |
Hersteller: | Jiangsu JieJie Microelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
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