KD367B

Symbol Micros: TKD367b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3
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Parameter
Verlustleistung: 60W
Grenzfrequenz: 7MHz
Stromverstärkungsfaktor: 750
Hersteller: Tesla
Gehäuse: TO 3
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: Tesla Hersteller-Teilenummer: KD367B Gehäuse: TO 3 Datenblatt
Auf Lager:
77 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 10+ 20+ 97+
Nettopreis (EUR) 0,5236 0,3700 0,3025 0,2583 0,2094
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
97
Verlustleistung: 60W
Grenzfrequenz: 7MHz
Stromverstärkungsfaktor: 750
Hersteller: Tesla
Gehäuse: TO 3
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Transistor-Typ: NPN

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