KSC2690AYSTU

Symbol Micros: TKSC2690aystu

Gehäuse: TO126

Transistor GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Transistor GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin(3+Tab) TO-126

Parameter

Verlustleistung:	1,2W
Grenzfrequenz:	155MHz
Stromverstärkungsfaktor:	320
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	TO126
Max. Kollektor-Strom [A]:	1,2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	160V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: KSC2690AYSTU Gehäuse: TO126

Externes Lager:

1920 stk.

Anzahl Stück	1920+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2429

Verlustleistung:	1,2W
Grenzfrequenz:	155MHz
Stromverstärkungsfaktor:	320
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	TO126
Max. Kollektor-Strom [A]:	1,2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	160V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN