TLP181(GB-TPL,F)

Symbol Micros: OOTLP181
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SO 4
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einzelner CTR 50-600 % Vce 80 V Uiso 3,75 kV NPN-Fototransistor VERALTET; ERSATZ: KPC357NT0C; TIL198; TLP185(GB); LTV-356T-B; SFH690AT; SFH690BT; VOM617A-4T; PC357NTJ000F; HCPL-181 TLP181(GB-TPL-F); TLP181; TLP181 smd; TLP181(GB-TPL,F); HPC357;
Parameter
Klickrate (CTR): 50-600%
Gehäuse: SO 4
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 80V
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TLP181(GB-TPL,F) RoHS Gehäuse: SO 4 t/r Datenblatt
Auf Lager:
422 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 1,7000 1,3476 1,1461 1,0526 0,9999
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Standard-Verpackung:
2507
Klickrate (CTR): 50-600%
Gehäuse: SO 4
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 80V
Ausführliche Beschreibung

Hersteller: TOSHIBA / ISOCOM
Semikonduktortyp: Transoptor
Montage: SMD
Anzahl der Kanäle: 1
Ausgangsart: Transistor
Isolationsspannung: 3.75kV
Stromübertragungsrate bei Vorwärtsstrom: 50-150%@5mA
Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Gehäuse: MSOP04 t/r

Symbol Micros

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