MBT3904DW1T1G
Symbol Micros:
TMBT3904dw1t1g c
Gehäuse: SOT363
40V 200mW 300@10mA,1V 200mA 2 NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS 40V 200mW 300@10mA,1V 200mA 2 NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
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Geplantes Datum:
2024-10-15
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