MJ11015

Symbol Micros: TMJ11015
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3
darl.PNP 30A 120V 200W 4MHz darl.PNP 30A 120V 200W 4MHz
Parameter
Verlustleistung: 200W
Grenzfrequenz: 4MHz
Stromverstärkungsfaktor: 1000
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO 3
Max. Kollektor-Strom [A]: 30A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 120V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJ11015G Gehäuse: TO 3  
Externes Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 4,5617
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJ11015G Gehäuse: TO 3  
Externes Lager:
102 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 10,2245
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJ11015G Gehäuse: TO 3  
Externes Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 4,8632
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 200W
Grenzfrequenz: 4MHz
Stromverstärkungsfaktor: 1000
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO 3
Max. Kollektor-Strom [A]: 30A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 120V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 200°C
Transistor-Typ: PNP