MJ11015
Symbol Micros:
TMJ11015
Gehäuse: TO 3
darl.PNP 30A 120V 200W 4MHz darl.PNP 30A 120V 200W 4MHz
Parameter
Verlustleistung: | 200W |
Grenzfrequenz: | 4MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 1000 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | TO 3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 30A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 120V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MJ11015G
Gehäuse: TO 3
Externes Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 4,5617 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MJ11015G
Gehäuse: TO 3
Externes Lager:
102 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 10,2245 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MJ11015G
Gehäuse: TO 3
Externes Lager:
200 stk.
Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 4,8632 |
Verlustleistung: | 200W |
Grenzfrequenz: | 4MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 1000 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | TO 3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 30A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 120V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 200°C |
Transistor-Typ: | PNP |
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