MJD112

Symbol Micros: TMJD112 LGE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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Transistor: NPN; Bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252 Transistor: NPN; Bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252
Parameter
Verlustleistung: 1W
Grenzfrequenz: 25MHz
Stromverstärkungsfaktor: 500
Hersteller: LGE
Gehäuse: TO-252
Max. Kollektor-Strom [A]: 2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: MJD112 RoHS Gehäuse: TO252t/r  
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2751 0,1756 0,1231 0,1070 0,1000
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Standard-Verpackung:
200
Verlustleistung: 1W
Grenzfrequenz: 25MHz
Stromverstärkungsfaktor: 500
Hersteller: LGE
Gehäuse: TO-252
Max. Kollektor-Strom [A]: 2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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