MJD112
Symbol Micros:
TMJD112 LGE
Gehäuse: TO252
Transistor: NPN; Bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252 Transistor: NPN; Bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252
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Hersteller: LGE
Hersteller-Teilenummer: MJD112 RoHS
Gehäuse: TO252t/r
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200 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2762 | 0,1763 | 0,1236 | 0,1074 | 0,1004 |
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