MJD122 TO252 LGE

Symbol Micros: TMJD122 lge

Gehäuse: TO252 (DPACK)

darl.NPN 5A 100V 20W darl.NPN 5A 100V 20W

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Parameter

Verlustleistung:	1,5W
Stromverstärkungsfaktor:	12000
Hersteller:	LGE
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Max. Kollektor-Strom [A]:	8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C

Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: MJD122 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

943 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	500+	2500+
Nettopreis (EUR)	0,2925	0,1565	0,1219	0,1104	0,1065

Verlustleistung:	1,5W
Stromverstärkungsfaktor:	12000
Hersteller:	LGE
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Max. Kollektor-Strom [A]:	8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN