MJD122 TO252 LGE

Symbol Micros: TMJD122 lge

Gehäuse: TO252 (DPACK)

darl.NPN 5A 100V 20W darl.NPN 5A 100V 20W

Parameter

Verlustleistung:	1,5W
Stromverstärkungsfaktor:	12000
Hersteller:	LGE
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Max. Kollektor-Strom [A]:	8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C

Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: MJD122 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

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Anzahl Stück	3+	20+	100+	500+	2500+
Nettopreis (EUR)	0,3054	0,1639	0,1278	0,1156	0,1114

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2025-04-28

Anzahl Stück: 2500

Verlustleistung:	1,5W
Stromverstärkungsfaktor:	12000
Hersteller:	LGE
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Max. Kollektor-Strom [A]:	8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN