MJD122T4 smd
Symbol Micros:
TMJD122t4
Gehäuse: TO252 (DPACK)
darl.NPN 5A 100V 20W darl.NPN 5A 100V 20W
Parameter
| Verlustleistung: | 1,75W |
| Grenzfrequenz: | 4MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 12000 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 8A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MJD122T4G
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
30000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2846 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MJD122T4G
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
35000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3398 |
| Verlustleistung: | 1,75W |
| Grenzfrequenz: | 4MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 12000 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 8A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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