MJD31C CDIL

Symbol Micros: TMJD31c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
Darl. NPN 3A 100V 1.56W Darl. NPN 3A 100V 1.56W
Parameter
Verlustleistung: 1,25W
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 50
Hersteller: LGE
Gehäuse: TO252
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 1,25W
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 50
Hersteller: LGE
Gehäuse: TO252
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN